通過(guò)在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件，應(yīng)用在新能源汽車(chē)，軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。
