9月19日，第十二屆中國知識產權年會在山東濟南開幕。中外8000余位專家學者、以及騰訊、京東、百度等知名企業(yè)圍繞“知識產權支持全面創(chuàng)新”的主題，共商知識產權發(fā)展新趨勢。公司作為開幕式主旨演講嘉賓參加本次大會。

中國知識產權年會創(chuàng)辦于2010年，是我國知識產權領域規(guī)模最大、影響最廣、參與人數最多的年度盛會。中國國家知識產權局局長申長雨在本屆大會致辭中表示，中國將加強知識產權保護國際合作，深度參與知識產權全球治理，持續(xù)深化多邊、周邊、小多邊、雙邊“四邊聯動、協調推進”的知識產權國際合作新格局，以知識產權合作促進科技文化交流。

山東天岳先進科技股份有限公司董事長宗艷民參加大會，并在開幕式上發(fā)表題為“自主創(chuàng)新推動關鍵材料國產化，知識產權護航廣闊藍海市場”的主旨演講。

天岳先進董事長宗艷民在開幕式上致辭

宗艷民從自主創(chuàng)新和知識產權保護運用角度出發(fā)，闡述了堅持自主創(chuàng)新研發(fā)、重視知識產權布局的重要性，并介紹了碳化硅襯底材料在“新基建”、“雙碳目標”以及推動數字經濟背景下的廣闊應用。他表示：天岳先進將堅定不移的貫徹知識產權戰(zhàn)略，努力將知識產權打造成公司核心競爭力之一。未來，中國制造的碳化硅半導體材料，將繼續(xù)走出國門，影響世界，成為“中國制造”在國際市場的一張亮麗名片。

作為全球領先的碳化硅襯底企業(yè)，天岳先進堅持創(chuàng)新引領發(fā)展的理念，重視專利布局，持續(xù)提升技術競爭力。截至目前，天岳先進已在碳化硅襯底領域取得國內專利494項，率先填補了我國在碳化硅襯底領域的知識產權空白，專利布局涵蓋碳化硅制備的全工藝環(huán)節(jié)，其中海外專利13項，覆蓋歐洲、日本、韓國以及臺灣地區(qū)，知識產權規(guī)模位列世界第五。

依托持續(xù)高強度的研發(fā)投入以及知識產權的有效保護，天岳先進在碳化硅半導體材料領域已經具備了領先的技術和優(yōu)勢。公司將繼續(xù)通過高強度研發(fā)投入和知識產權布局，引領碳化硅半導體材料發(fā)展。