2024年12月23日，國家知識產(chǎn)權(quán)局發(fā)布第二十五屆中國專利獎預獲獎結(jié)果，山東天岳先進科技股份有限公司作為專利權(quán)人申報的專利“一種高平整度、低損傷大直徑單晶碳化硅襯底”（專利號：ZL201811205291.2）榮獲第二十五屆中國專利銀獎。

中國專利獎是國家知識產(chǎn)權(quán)局和聯(lián)合國世界知識產(chǎn)權(quán)組織（WIPO）共同評選的國家級獎項，是中國專利領(lǐng)域的最高榮譽，重在強化知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)造、保護、運用，推動經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展，鼓勵和表彰為技術(shù)（設(shè)計）創(chuàng)新及經(jīng)濟社會發(fā)展做出突出貢獻的專利權(quán)人和發(fā)明人（設(shè)計人）。

獲獎專利在8英寸碳化硅襯底面型、高平整度、低粗糙度等性能提升和批量化制備方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢，突破了大尺寸高質(zhì)量碳化硅半導體襯底加工技術(shù)，實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代，具備引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的優(yōu)勢。8英寸高質(zhì)量碳化硅半導體襯底廣泛應(yīng)用于電動汽車、光伏、儲能、5G 等領(lǐng)域，具有顯著的經(jīng)濟、社會、環(huán)境效益。 

天岳先進始終站在科技創(chuàng)新的前沿，以國家重大戰(zhàn)略需求為導向，深耕半導體材料領(lǐng)域，致力于打造具有國際競爭力的碳化硅產(chǎn)品。未來，天岳先進將繼續(xù)秉承自主創(chuàng)新的理念，不斷強化知識產(chǎn)權(quán)保護力度，用知識產(chǎn)權(quán)為核心技術(shù)保駕護航，不斷提高核心競爭力，打破國外壟斷局面，為中國半導體行業(yè)的繁榮發(fā)展貢獻一份力量！