2024年12月11日至13日，全球知名的日本國際半導體展覽會SEMICON JAPAN在東京隆重舉行，展會現場人流如織。來自全球的1100多家器件制造商、芯片制造商、設備供應商和材料企業，以及涉足汽車和人工智能等半導體智能應用領域的企業紛紛亮相。全球頂尖企業機構和技術專家，共同暢想半導體行業蓬勃發展的美好未來，和對快速變化的行業市場的豐富洞察。

在這場科技盛宴中，作為全球碳化硅襯底領域的領軍企業，天岳先進展示了備受矚目的12英寸導電N型碳化硅襯底，以及業內領先的高品質低阻P型碳化硅襯底及高純半絕緣型襯底等多款全球領先產品，成為展會焦點。

• 堅持技術引領，拓展市場空間

隨著全球對高性能、高效率半導體材料的需求日益增長，碳化硅（SiC）材料因其在高溫、高壓、高頻等多種環境下的卓越性能，已成為行業發展延伸的必然趨勢之一。天岳先進展示的碳化硅襯底產品和技術，成為了解最新碳化硅技術的絕佳窗口，吸引了眾多客戶專家訪客接踵交流。

全球首枚12英寸導電N型碳化硅襯底，改寫了碳化硅襯底歷史，引起國際廣泛關注。12英寸碳化硅襯底的面積是8英寸的2.25倍，可使用率約為8英寸的2.5倍左右，單片碳化硅片產出更多晶片。超大尺寸襯底拓寬了下游應用場景，對行業的未來應用具有里程碑式的意義。

業內領先的6英寸高質量低阻P型碳化硅襯底，已實現客戶成功交付驗證，極大加速高性能SiC-IGBT的發展進程，未來將會更多應用于以智能電網為代表的更高電壓領域。天岳先進高質量低阻P型碳化硅襯底使用液相法制備，在長晶原理上決定了可以生長超高品質的碳化硅晶體，電阻率小于200mΩ·cm，面內電阻率分布均勻，結晶性良好。4度偏角P型襯底可以直接用于外延和器件制造，彌補了行業空缺，激發了市場的極大興趣。

高純半絕緣型襯底，作為高頻射頻器件的重要材料，正在5G基站、衛星通信、低空經濟等場景中發揮重要作用，并延伸更多應用場景。產品在全球市場占有率連續五年排名前三。同樣展出的8英寸無小面導電型襯底，實現了近“零TSD”和低BPD密度的制備，有效提升了晶圓制備利用率，獲得車規級器件廠商的青睞。

天岳先進面向行業客戶和產業鏈合作伙伴展示了第三代半導體領域的創新產品和技術優勢，展現其在碳化硅材料領域的卓越成就

• 共同探索低碳數智未來

展期內，天岳先進也與全球同行共同探討化合物半導體的發展趨勢和應用前景。分享天岳先進在碳化硅襯底領域的最新研究成果，以及通過技術創新推動行業快速發展。通過國際交流與合作，天岳先進攜手行業上下游共同探討推進化合物半導體技術的發展進程。

• 品質為本，打造行業標桿

基于高質量標準的開放競爭是行業可持續發展的主導力量，天岳先進作為碳化硅襯底的領先供應商，將持續參與打造行業標準，為市場提供高品質產品。通過加大研發投入，推動產品性能的持續提升，同時積極參與國際標準的制定，以確保我們的技術和產品能夠滿足全球客戶的性能品質要求。努力成為全球碳化硅襯底領域的標桿企業，引領行業走向可持續發展的蓬勃未來。

天岳先進將秉持“先進 品質 持續“的發展理念，與合作伙伴攜手并進，共同構筑低碳數智未來！