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製品情報

4H 半絶縁型

SiCウェーハ

4H Semi-Insulating

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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導(dǎo)體材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出來る材料です。
パワーデバイス領(lǐng)域と同様にその優(yōu)れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
5G通信技術(shù)等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細(xì)については下記よりお問い合せください。

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基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直徑(mm) 100 & 150
  • オフ角(°) 0
  • 厚み(μm) 500
  • 表面 Epi-ready

高周波(RF)デバイス

半絶縁型SiCウェハーは、ワイドギャップ半導(dǎo)體材料であり、且つ高周波動作に対応することが出來る材料です。パワーデバイス領(lǐng)域と同様にその優(yōu)れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、5G通信技術(shù)等の発展に大きな役割が期待されています。
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